Différences

Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.

--- fiches:semi_conducteurs [2015/05/14 15:30]
editeur [Concepts à retenir :]
+++ fiches:semi_conducteurs [2016/11/09 15:53] (Version actuelle)
@@ Ligne 8: / Ligne 8: @@
   * distribution de Fermi-Dirac
   * différence homojonction / hétérojonction
+  * propriété semi-conducteur intrinsèque / extrinsèque
+  * dégénérescence d'un semi-conducteur
+  * zone de charge d'espace (ZCE)
+  * transitions :
+    * radiative spontanée $\propto \Delta n^2$
+    * non radiative Auger $\propto \Delta n^3$
+    * non radiative dues aux impuretés $\propto \Delta n$
 ===== Formules à retenir : =====
-densité d'électrons de conduction dans la bande de conduction
+Densité d'électrons de conduction dans la bande de conduction
 $$ n = N_C \exp \left( - \frac{E_C - E_F}{k_B T} \right) $$
-densité de trous dans la bande de valence
+Densité de trous dans la bande de valence
-$$ n = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$
+$$ p = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$
+Loi d'action de masse
+$$ n_i^2 = n p = N_C N_V \exp \left(- \frac{E_g}{k_B T} \right) $$
+Travail de sortie
+$$ W = NV - E_F$$
+Affinité électronique
+$$ e_\chi = NV - E_C$$
+Taille de la ZCE
+$$ \left\lbrace \begin{array}{ll} x_N = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_D(1+N_D/N_A)}} \\
+x_P = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_A(1+N_A/N_D)}} \end{array} \right. $$
+===== Jonctions à connaître =====
+  * cellule photoconductrice
+  * photodiode PN / PIN
+  * cellule solaire

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