Outils pour utilisateurs

Outils du site


fiches:semi_conducteurs

Différences

Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.

Lien vers cette vue comparative

Les deux révisions précédentes Révision précédente
Prochaine révision
Révision précédente
fiches:semi_conducteurs [2015/05/14 15:35]
editeur [Formules à retenir :]
fiches:semi_conducteurs [2016/11/09 15:53] (Version actuelle)
Ligne 9: Ligne 9:
   * différence homojonction / hétérojonction   * différence homojonction / hétérojonction
   * propriété semi-conducteur intrinsèque / extrinsèque   * propriété semi-conducteur intrinsèque / extrinsèque
 +  * dégénérescence d'un semi-conducteur
 +  * zone de charge d'​espace (ZCE)
 +  * transitions :
 +    * radiative spontanée $\propto \Delta n^2$
 +    * non radiative Auger $\propto \Delta n^3$
 +    * non radiative dues aux impuretés $\propto \Delta n$
  
 ===== Formules à retenir : ===== ===== Formules à retenir : =====
Ligne 16: Ligne 22:
 Densité de trous dans la bande de valence Densité de trous dans la bande de valence
 $$ p = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$ $$ p = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$
 +Loi d'​action de masse
 +$$ n_i^2 = n p = N_C N_V \exp \left(- \frac{E_g}{k_B T} \right) $$
 +Travail de sortie
 +$$ W = NV - E_F$$
 +Affinité électronique
 +$$ e_\chi = NV - E_C$$
 +Taille de la ZCE
 +$$ \left\lbrace \begin{array}{ll} x_N = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_D(1+N_D/​N_A)}} \\
 +x_P = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_A(1+N_A/​N_D)}} \end{array} \right. $$
 +
 +===== Jonctions à connaître =====
 +  * cellule photoconductrice
 +  * photodiode PN / PIN
 +  * cellule solaire
 +
 +
fiches/semi_conducteurs.1431610531.txt.gz · Dernière modification: 2016/11/09 15:53 (modification externe)