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fiches:semi_conducteurs

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fiches:semi_conducteurs [2016/11/09 15:53] (Version actuelle)
Ligne 9: Ligne 9:
   * différence homojonction / hétérojonction   * différence homojonction / hétérojonction
   * propriété semi-conducteur intrinsèque / extrinsèque   * propriété semi-conducteur intrinsèque / extrinsèque
 +  * dégénérescence d'un semi-conducteur
 +  * zone de charge d'​espace (ZCE)
 +  * transitions :
 +    * radiative spontanée $\propto \Delta n^2$
 +    * non radiative Auger $\propto \Delta n^3$
 +    * non radiative dues aux impuretés $\propto \Delta n$
  
 ===== Formules à retenir : ===== ===== Formules à retenir : =====
Ligne 17: Ligne 23:
 $$ p = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$ $$ p = N_V \exp \left( - \frac{E_F - E_V}{k_B T} \right) $$
 Loi d'​action de masse Loi d'​action de masse
-$$ n_i = \sqrt{\times ​p\sqrt N_C \sqrt N_V \exp \left(- \frac{E_g}{2k_B T} \right) $$+$$ n_i^2 = n p = N_C N_V \exp \left(- \frac{E_g}{k_B T} \right) $$
 Travail de sortie Travail de sortie
 $$ W = NV - E_F$$ $$ W = NV - E_F$$
-Affinité ​chimique +Affinité ​électronique 
-$$e_\chi = (E_C - E_F)$$+$$ e_\chi = NV - E_C$$ 
 +Taille de la ZCE 
 +$$ \left\lbrace \begin{array}{ll} x_N = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_D(1+N_D/​N_A)}} \\ 
 +x_P = \sqrt{\frac{2\varepsilon|V_0|}{eN_A(1+N_A/​N_D)}} \end{array} \right. ​$$ 
 + 
 +===== Jonctions à connaître ===== 
 +  * cellule photoconductrice 
 +  * photodiode PN / PIN 
 +  * cellule solaire 
 + 
fiches/semi_conducteurs.1431693074.txt.gz · Dernière modification: 2016/11/09 15:53 (modification externe)